- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,898
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 10.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.8V @ 250µA | 48nC @ 10V | 1640pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,442
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 12A (Ta), 42.5A (Tc) | 14.4 mOhm @ 15A, 10V | 3.4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 1850pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,539
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 10.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.8V @ 250µA | 49nC @ 10V | 1630pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,154
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) | 17.4 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1470pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V |