- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,606
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 78W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7.2A (Ta), 40A (Tc) | 25.2 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 43µA | 17nC @ 10V | 1100pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,616
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 78W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.5A (Ta), 45A (Tc) | 19.6 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 42µA | 34nC @ 10V | 2300pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,924
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 78W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 63A (Tc) | 10.9 mOhm @ 46A, 10V | 3.5V @ 45µA | 35nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,538
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 78W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 6.5A (Ta), 40A (Tc) | 26.5 mOhm @ 20A, 10V | 2.4V @ 43µA | 21nC @ 10V | 1600pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |