- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,878
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 333W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 103A (Tc) | 11.6 mOhm @ 62A, 10V | 4V @ 250µA | 150nC @ 10V | 5380pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,213
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK | 333W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 120A (Tc) | 3.5 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 116nC @ 10V | 7295pF @ 25V | 10V | ±20V |