- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,851
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK | 65W (Tc) | N-Channel | 100V | 25A (Ta) | 13 mOhm @ 12.5A, 10V | - | 43nC @ 4.5V | 6160pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,268
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH QFN3333 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | 65W (Tc) | N-Channel | 100V | 27A (Tc) | 32 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 23nC @ 10V | 1350pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,369
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | LFPAK33 | 65W (Tc) | N-Channel | 100V | 18A (Tj) | 71 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 16.4nC @ 10V | 773pF @ 50V | 10V | ±20V |