- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
614
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.3A (Ta) | 88 mOhm @ 3.3A, 10V | 3V @ 250µA | 7.3nC @ 10V | 450pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,331
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | N-Channel | 100V | 2.2A (Ta) | 243 mOhm @ 2.2A, 10V | 3V @ 250µA | 3nC @ 10V | 163pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,478
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223-4 | 2.4W (Ta) | N-Channel | 100V | 2.3A (Ta) | 200 mOhm @ 1.15A, 10V | 4V @ 250µA | 22nC @ 10V | 480pF @ 25V | 10V | ±20V |