- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,293
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 | SIPMOS® | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10.3A (Tc) | 154 mOhm @ 8.1A, 10V | 2V @ 21µA | 22nC @ 10V | 444pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
808
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 13A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 13A (Tc) | 130 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 460pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
,%20SC-63.JPG)
|
|
获得报价 |
896
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 15.7A (Tc) | 75 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.9nC @ 10V | 1465pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,656
有现货
|
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 25A LPTS | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | LPTS | 50W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 25A (Ta) | 63 mOhm @ 25A, 10V | 2.5V @ 1mA | 60nC @ 5V | 8000pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | ||
.jpg)
|
|
获得报价 |
2,434
有现货
|
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 15A (Tc) | 90 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,469
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 7A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7A (Ta) | 48 mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 100µA | 7.1nC @ 10V | 470pF @ 10V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1