- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
1,128
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | SIPMOS® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 90W (Tc) | N-Channel | 100V | 21A (Tc) | 80 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 44µA | 38.4nC @ 10V | 865pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
1,306
有现货
|
Sanken | MOSFET N-CH 100V 34A TO-263 | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 | 90W (Tc) | N-Channel | 100V | 34A (Tc) | 27.9 mOhm @ 17.1A, 10V | 2.5V @ 650µA | 35.8nC @ 10V | 2540pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |