- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,596
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK | 60W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 23A (Ta) | 17 mOhm @ 11.5A, 10V | - | 35nC @ 10V | 2550pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,101
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.8A (Ta), 42A (Tc) | 16 mOhm @ 33A, 10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | 1700pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,092
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 15A (Tc) | 102 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 12.2nC @ 10V | 779pF @ 25V | 10V | ±20V |