- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,348
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 2.5 mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 275µA | 206nC @ 10V | 14800pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
655
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7 | 375W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 1.7 mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 279µA | 210nC @ 10V | 15600pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,501
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | PG-TO263-7 | 214W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 160A (Tc) | 3.9 mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 160µA | 117nC @ 10V | 8410pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
964
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 | OptiMOS™-5 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7 | 313W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 1.7 mOhm @ 100A, 10V | 4.1V @ 270µA | 195nC @ 10V | 840pF @ 50V | 10V | ±20V |