- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,372
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8 | ThunderFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | 57W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 23A (Tc) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 1050pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,960
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 | ThunderFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 36.5A (Tc) | 21 mOhm @ 10A, 10V | 3.5V @ 250µA | 24nC @ 10V | 845pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |