- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,025
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 139W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 100A (Tc) | 3 mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 95µA | 76nC @ 10V | 5600pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,553
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | DDPAK/TO-263-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 200A (Ta) | 3.1 mOhm @ 100A, 10V | 3.2V @ 250µA | 76nC @ 10V | 7920pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |