- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,291
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 3.3W (Ta), 187W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 25A (Ta), 198A (Tc) | 2.4 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 8030pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
755
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 2.7W (Ta), 156W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 25A (Ta), 130A (Tc) | 2.4 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 10680pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,410
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 100W (Tc) | P-Channel | - | 80V | 32A (Tc) | 25 mOhm @ 10.2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 5100pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |