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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDMC86320
单位
$1.98
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RFQ
2,487
有现货
ON Semiconductor MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.3W (Ta), 40W (Tc) N-Channel 80V 10.7A (Ta), 22A (Tc) 11.7 mOhm @ 10.7A, 10V 4.5V @ 250µA 41nC @ 10V 2640pF @ 40V 8V, 10V ±20V
SI7852DP-T1-GE3
单位
$3.16
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RFQ
1,675
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 80V 7.6A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
FDS3572
单位
$1.63
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RFQ
1,793
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel 80V 8.9A (Ta) 16 mOhm @ 8.9A, 10V 4V @ 250µA 41nC @ 10V 1990pF @ 25V 6V, 10V ±20V
IRF7854TRPBF
单位
$1.77
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RFQ
1,627
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel 80V 10A (Ta) 13.4 mOhm @ 10A, 10V 4.9V @ 100µA 41nC @ 10V 1620pF @ 25V 10V ±20V
SI7852DP-T1-E3
单位
$2.19
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RFQ
1,920
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 80V 7.6A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
FDMS86320
单位
$1.23
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RFQ
1,055
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 69W (Tc) N-Channel 80V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V 4.5V @ 250µA 41nC @ 10V 2640pF @ 40V 8V, 10V ±20V
SI4896DY-T1-GE3
单位
$1.71
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RFQ
2,385
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel 80V 6.7A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI4896DY-T1-E3
单位
$1.71
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RFQ
1,743
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel 80V 6.7A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
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