- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,475
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 130W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 82A (Tc) | 8.5 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 55nC @ 10V | 3640pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,793
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 68W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 60A (Tc) | 7.6 mOhm @ 10A, 10V | 3.5V @ 250µA | 55nC @ 10V | 3500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,302
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 13A (Ta), 60A (Tc) | 7.65 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 55nC @ 10V | 3000pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |