- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,870
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 17.3A (Tc) | 13 mOhm @ 11.7A, 10V | 4V @ 250µA | 53nC @ 10V | 2205pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,820
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 9.3A (Tc) | 15 mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 250µA | 53nC @ 10V | 1510pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,592
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | Power33 | 2.3W (Ta), 54W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 14A (Ta), 48A (Tc) | 6.5 mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 53nC @ 10V | 3885pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V |