- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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获得报价 |
3,254
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK | 25W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 30A (Ta) | 12 mOhm @ 15A, 10V | - | 60nC @ 10V | 3520pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
905
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 120A | STripFET™ F7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 4.8W (Ta), 140W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 120A (Tc) | 4.4 mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 4570pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,891
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 68W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 60A (Tc) | 8.2 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 60nC @ 10V | 3000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
,%20SC-63.jpg)
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获得报价 |
3,180
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 40A TO252 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 40A (Tc) | 16 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 1960pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1