- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,607
有现货
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Infineon Technologies | 80V 165A 2.9MOHM TOLL | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8-1 | 167W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 165A (Tc) | 2.9 mOhm @ 80A, 10V | 3.8V @ 108µA | 90nC @ 10V | 6370pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
.JPG)
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获得报价 |
704
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PDFN (5x6) | 83W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 67A (Tc) | 8.9 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 90nC @ 10V | 6119pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
790
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 60A (Tc) | 4.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.8V @ 250µA | 90nC @ 10V | 2900pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1