- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,734
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 136W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 80A (Tc) | 6.7 mOhm @ 73A, 10V | 3.5V @ 73µA | 56nC @ 10V | 3840pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,149
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 110W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 38A (Tc) | 29 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 56nC @ 10V | 1710pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,020
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 114W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 16A (Ta), 100A (Tc) | 5.7 mOhm @ 50A, 10V | 3.5V @ 73µA | 56nC @ 10V | 3900pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |