- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,895
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | 65W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 34A (Tc) | 23 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 21nC @ 10V | 1295pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
949
有现货
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ON Semiconductor | POWER TRENCH MOSFET | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 50W (Tj) | N-Channel | - | 80V | 30A (Tc) | 22 mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 866pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,431
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 18A (Tc) | 21 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 21nC @ 10V | 1358pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,333
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 25A DPAK | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 48.4W (Tj) | N-Channel | - | 80V | 25A (Tc) | 21 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 866pF @ 40V | 10V | ±20V |