- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,993
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (5x6) | 7.4W (Ta), 78W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 24A (Ta), 78A (Tc) | 7.1 mOhm @ 20A, 10V | 3.3V @ 250µA | 40nC @ 10V | 2162pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,369
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 95A (Tc) | 5.2 mOhm @ 47.5A, 10V | 3.8V @ 49µA | 40nC @ 10V | 2900pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,840
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 | UltraFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-MLP (5x6), Power56 | 2.5W (Ta), 78W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 8.8A (Ta), 22A (Tc) | 16.5 mOhm @ 8.8A, 10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | 2490pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |