- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,961
有现货
|
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (5x6) | 7.3W (Ta), 83W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 17A (Ta), 85A (Tc) | 4.1 mOhm @ 20A, 10V | 3.2V @ 250µA | 82nC @ 10V | 3930pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,553
有现货
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | DDPAK/TO-263-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 200A (Ta) | 3.1 mOhm @ 100A, 10V | 3.2V @ 250µA | 76nC @ 10V | 7920pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |