- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Vgs(th)(最大)@Id :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,624
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 13.6W (Ta), 375W (Tc) | P-Channel | - | 80V | 110A (Tc) | 11.2 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 270nC @ 10V | 10850pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,940
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 333W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 110A (Tc) | 1.8 mOhm @ 80A, 10V | 4.5V @ 250µA | 253nC @ 10V | 14600pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
655
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 176W (Tj) | N-Channel | - | 80V | 110A (Tc) | 3.6 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 112nC @ 10V | 6280pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,519
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 300W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 110A (Tc) | 2.4 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 150nC @ 10V | 10000pF @ 40V | 10V | ±20V |