- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,297
有现货
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ON Semiconductor | PTNG 80/20V IN 3X3CLIP | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | Power33 | 2.4W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 11A (Ta), 51A (Tc) | 10 mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 90µA | 22nC @ 10V | 1500pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
753
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power33 | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 7A (Ta), 20A (Tc) | 23 mOhm @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | 965pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,639
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | Power33 | 2.8W (Ta), 65W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 14A (Ta), 68A (Tc) | 6.5 mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 49nC @ 10V | 2775pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,592
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | Power33 | 2.3W (Ta), 54W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 14A (Ta), 48A (Tc) | 6.5 mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 53nC @ 10V | 3885pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V |