- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,533
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 32W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 6A (Ta), 23A (Tc) | 34 mOhm @ 12A, 10V | 3.5V @ 12µA | 9.1nC @ 10V | 630pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,601
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 66W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 10A (Ta), 40A (Tc) | 12.3 mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | 1700pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |