- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,997
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V MLFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | LFPAK33 | 75W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 37A (Tc) | 22 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 23.9nC @ 10V | 1643pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,824
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | LFPAK33 | 79W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 43A (Tc) | 17 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 29.6nC @ 10V | 2031pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,859
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V MLFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | LFPAK33 | 62W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 30A (Tc) | 27 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 19.5nC @ 10V | 1306pF @ 25V | 10V | ±20V |