- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,334
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 90A (Tc) | 5.3 mOhm @ 90A, 10V | 3.5V @ 90µA | 69nC @ 10V | 4750pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,271
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 73A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 100W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 73A (Tc) | 9.6 mOhm @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35nC @ 10V | 2410pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,394
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 79W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 45A (Tc) | 13.5 mOhm @ 45A, 10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | 1730pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,811
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 90A (Tc) | 5.3 mOhm @ 90A, 10V | 3.5V @ 90µA | 69nC @ 10V | 4750pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |