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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPB10N10L G
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3,293
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 50W (Tc) N-Channel - 100V 10.3A (Tc) 154 mOhm @ 8.1A, 10V 2V @ 21µA 22nC @ 10V 444pF @ 25V 10V ±20V
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$2.01
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2,138
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V TO-252 TrenchFET® Gen IV Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 50W (Tc) P-Channel - 40V 42A (Tc) 12 mOhm @ 17.5A, 10V 2.5V @ 250µA 112nC @ 10V 5340pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
STD10NF10T4
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808
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 13A DPAK STripFET™ II Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 100V 13A (Tc) 130 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V 460pF @ 25V 10V ±20V
FDD850N10L
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 50W (Tc) N-Channel - 100V 15.7A (Tc) 75 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 28.9nC @ 10V 1465pF @ 25V 5V, 10V ±20V
FDD8782
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RFQ
1,156
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A DPAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 50W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 11 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 25nC @ 10V 1220pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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RFQ
828
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8-34 50W (Tc) N-Channel - 40V 70A (Tc) 4.6 mOhm @ 35A, 10V 3.4V @ 17µA 24.2nC @ 10V 1430pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IRFR3707ZTRPBF
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804
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 56A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 50W (Tc) N-Channel - 30V 56A (Tc) 9.5 mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 25µA 14nC @ 4.5V 1150pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
FDD8780
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3,709
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 50W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 8.5 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 29nC @ 10V 1440pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
STD44N4LF6
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3,656
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 44A DPAK DeepGATE™, STripFET™ VI Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 50W (Tc) N-Channel - 40V 44A (Tc) 12.5 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V 1190pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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