- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,021
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 37W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.4A (Tc) | 950 mOhm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 130µA | 13nC @ 10V | 280pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,817
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | LITTLE FOOT® | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | N-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 6A (Ta), 7.5A (Tc) | 35 mOhm @ 6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 1040pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,066
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | CoolMOS™ CE | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 37W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.3A (Tc) | 1 Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 130µA | 13nC @ 10V | 280pF @ 100V | 10V | ±20V |