- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,675
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 4.5A TO252 | - | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.5W (Ta), 115W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 4.5A (Ta), 28A (Tc) | 46 mOhm @ 20A, 10V | 2.7V @ 250µA | 40nC @ 10V | 2150pF @ 75V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,002
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | SkyFET®, TrenchFET® | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 60A (Tc) | 2.9 mOhm @ 20A, 10V | 2.7V @ 250µA | 160nC @ 10V | 7150pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |