- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,451
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | CoolMOS™ P6 | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 83W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 10.6A (Tc) | 380 mOhm @ 3.8A, 10V | 4.5V @ 320µA | 19nC @ 10V | 877pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,037
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | CoolMOS™ P6 | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 151W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 20.2A (Tc) | 190 mOhm @ 7.6A, 10V | 4.5V @ 630µA | 37nC @ 10V | 1750pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,396
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4VSON | CoolMOS™ P6 | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 126W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 15.9A (Tc) | 255 mOhm @ 6.4A, 10V | 4.5V @ 530µA | 31nC @ 10V | 1450pF @ 100V | 10V | ±20V |