- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,882
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 1.88W (Ta), 60W (Tj) | N-Channel | 60V | 20A (Ta) | 46 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1015pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,763
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 56W (Tc) | N-Channel | 80V | 22A (Tc) | 46 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 11nC @ 10V | 633pF @ 12V | 10V | ±20V |