- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,492
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 48A (Tc) | 23 mOhm @ 29A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 1360pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,067
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.1W (Ta), 130W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 6.2A (Tc) | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 1300pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,696
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 18 mOhm @ 27.5A, 10V | 4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 1300pF @ 25V | 10V | ±20V |