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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTB90N02T4
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RFQ
3,857
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 85W (Tc) N-Channel - 24V 90A (Ta) 5.8 mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2120pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
NTB85N03T4
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RFQ
3,595
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 80W (Tc) N-Channel - 28V 85A (Tc) 6.8 mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2150pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
NTB90N02T4G
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RFQ
3,061
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 85W (Tc) N-Channel - 24V 90A (Ta) 5.8 mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2120pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
IRF3711STRLPBF
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RFQ
2,019
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.1W (Ta), 120W (Tc) N-Channel - 20V 110A (Tc) 6 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44nC @ 4.5V 2980pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRF3704STRLPBF
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RFQ
3,517
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 87W (Tc) N-Channel - 20V 77A (Tc) 9 mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19nC @ 4.5V 1996pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRL1404STRLPBF
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RFQ
2,089
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 40V 160A (Tc) 4 mOhm @ 95A, 10V 3V @ 250µA 140nC @ 5V 6600pF @ 25V 4.3V, 10V ±20V
STB120N4LF6
单位
$3.13
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RFQ
1,310
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK DeepGATE™, STripFET™ VI Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 110W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 4 mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 80nC @ 10V 4300pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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