- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,358
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK | TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 250W (Tc) | N-Channel | 200V | 35A (Tc) | 70 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 1mA | 77nC @ 10V | 4570pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,906
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 115W (Tc) | N-Channel | 100V | 35A (Tc) | 45 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 55nC @ 10V | 1180pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,036
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 85W (Tc) | N-Channel | 55V | 35A (Tc) | 35 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | - | 872pF @ 25V | 10V | ±20V |