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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFS4510TRLPBF
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RFQ
709
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 100V 61A (Tc) 13.9 mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87nC @ 10V 3180pF @ 50V 10V ±20V
IRL7833STRLPBF
单位
$1.89
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RFQ
3,019
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 30V 150A (Tc) 3.8 mOhm @ 38A, 10V 2.3V @ 250µA 47nC @ 4.5V 4170pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF1010ZSTRLPBF
单位
$1.64
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RFQ
1,588
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 55V 75A (Tc) 7.5 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 95nC @ 10V 2840pF @ 25V 10V ±20V
IRFS3607TRLPBF
单位
$1.55
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RFQ
1,062
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 75V 80A (Tc) 9 mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84nC @ 10V 3070pF @ 50V 10V ±20V
IRF1010EZSTRLP
单位
$1.70
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RFQ
3,606
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 60V 75A (Tc) 8.5 mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86nC @ 10V 2810pF @ 25V 10V ±20V
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