- 系列 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,983
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN | DTMOSIV | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-VSFN Exposed Pad | 4-DFN-EP (8x8) | 240W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 30.8A (Ta) | 98 mOhm @ 15.4A, 10V | 3.7V @ 1.5mA | 86nC @ 10V | 3000pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
2,422
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | E | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 227W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 21A (Tc) | 180 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86nC @ 10V | 1920pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
1,289
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerPAK® 8 x 8 | 174W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 19A (Tc) | 185 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86nC @ 10V | 2035pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
2,015
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 24A (Tc) | 100 mOhm @ 14A, 10V | 5.5V @ 250µA | 86nC @ 10V | 1960pF @ 25V | 10V | ±30V |