- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,758
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 6.6A (Tc) | 530 mOhm @ 3.3A, 10V | 4V @ 250µA | 15nC @ 10V | 470pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,594
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1.9A (Tc) | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 235pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,680
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1.9A (Tc) | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 235pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,772
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 6.6A (Tc) | 530 mOhm @ 3.3A, 10V | 4V @ 250µA | 15nC @ 10V | 470pF @ 25V | 10V | ±30V |