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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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993
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 15A TO263 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 34W (Tc) N-Channel 650V 15A (Tc) 280 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 96nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHP15N65E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 34W (Tc) N-Channel 650V 15A (Tc) 280 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 96nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 18A TO263 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 179W (Tc) N-Channel 600V 18A (Tc) 202 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHA18N60E-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 34W (Tc) N-Channel 600V 18A (Tc) 202 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
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2,051
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 179W (Tc) N-Channel 600V 18A (Tc) 202 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHB20N50E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263) 179W (Tc) N-Channel 500V 19A (Tc) 184 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHF15N65E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 34W (Tc) N-Channel 650V 15A (Tc) 280 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 96nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHG20N50E-GE3
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838
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 179W (Tc) N-Channel 500V 19A (Tc) 184 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHP20N50E-GE3
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1,446
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 179W (Tc) N-Channel 500V 19A (Tc) 184 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHA6N65E-E3
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3,679
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 31W (Tc) N-Channel 650V 7A (Tc) 600 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 48nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
SIHA20N50E-E3
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2,617
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 34W (Tc) N-Channel 500V 19A (Tc) 184 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 1640pF @ 100V 10V ±30V
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