- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
757
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 32A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 200W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 32A (Ta) | 175 mOhm @ 16A, 10V | - | 121nC @ 10V | 5150pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
775
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 40A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 200W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 40A (Ta) | 118 mOhm @ 20A, 10V | - | 126nC @ 10V | 5150pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,250
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 | HiPerFET™, Polar3™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AD (IXFH) | 830W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 42A (Tc) | 185 mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 78nC @ 10V | 5150pF @ 25V | 10V | ±30V |