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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
11 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP POWER MOS IV® Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 520W (Tc) N-Channel - 400V 56A (Tc) 75 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 2.5mA 370nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP1 SP1 357W (Tc) N-Channel - 1000V 20A (Tc) 480 mOhm @ 16A, 10V 5V @ 2.5mA 260nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP1 SP1 357W (Tc) N-Channel - 1000V 20A (Tc) 480 mOhm @ 16A, 10V 5V @ 2.5mA 260nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFN66N50Q2
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IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B HiPerFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 735W (Tc) N-Channel - 500V 66A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 199nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXTQ480P2
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IXYS MOSFET N-CH 500V 52A TO3P PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 960W (Tc) N-Channel - 500V 52A (Tc) 120 mOhm @ 26A, 10V 4.5V @ 250µA 108nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXTH102N20T
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IXYS MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 TrenchHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 750W (Tc) N-Channel - 200V 102A (Tc) 23 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 114nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFX52N60Q2
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IXYS MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 735W (Tc) N-Channel - 600V 52A (Tc) 115 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 198nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFK52N60Q2
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2,529
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IXYS MOSFET N-CH 600V 52A TO-264 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 735W (Tc) N-Channel - 600V 52A (Tc) 115 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 198nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
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IXYS MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 TrenchHV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3, Short Tab PLUS220 750W (Tc) N-Channel - 200V 102A (Tc) 23 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 114nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFT52N50P2
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2,599
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IXYS MOSFET N-CH 500V 52A TO268 HiPerFET™, PolarHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 960W (Tc) N-Channel - 500V 52A (Tc) 120 mOhm @ 26A, 10V 4.5V @ 4mA 113nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFH52N50P2
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IXYS MOSFET N-CH 500V 52A TO247 HiPerFET™, PolarHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 960W (Tc) N-Channel - 500V 52A (Tc) 120 mOhm @ 26A, 10V 4.5V @ 4mA 113nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
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