- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,421
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ | 230W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 11A (Tc) | 640 mOhm @ 10A, 10V | 6.5V @ 1mA | 126nC @ 10V | 7300pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,053
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 660W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 20A (Tc) | 570 mOhm @ 10A, 10V | 6.5V @ 1mA | 126nC @ 10V | 7300pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
775
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 40A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 200W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 40A (Ta) | 118 mOhm @ 20A, 10V | - | 126nC @ 10V | 5150pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,582
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AD (IXFH) | 660W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 20A (Tc) | 570 mOhm @ 10A, 10V | 6.5V @ 1mA | 126nC @ 10V | 7300pF @ 25V | 10V | ±30V |