- 制造商 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,502
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 150W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 24A (Tc) | 125 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,525
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | HiPerFET™, Polar3™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 695W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 28A (Tc) | 260 mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 50nC @ 10V | 3560pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
899
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | PolarHV™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 350W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 22A (Tc) | 270 mOhm @ 11A, 10V | 5.5V @ 250µA | 50nC @ 10V | 2630pF @ 25V | 10V | ±30V |