- 系列 :
- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,585
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A DPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 93.9W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 16A (Tc) | 240 mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 944pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,217
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A IPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 93.9W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 16A (Tc) | 240 mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 944pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,140
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK | QFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | - | N-Channel | - | 800V | 3A (Tc) | 5 Ohm @ 1.5A, 10V | 5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 690pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,614
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2.8W (Ta) | N-Channel | - | 150V | 2.6A (Ta) | 185 mOhm @ 1.6A, 10V | 5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 420pF @ 25V | 10V | ±30V |