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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,023
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 SP6 1250W (Tc) N-Channel - 1000V 78A (Tc) 105 mOhm @ 39A, 10V 5V @ 10mA 744nC @ 10V 20700pF @ 25V 10V ±30V
IRFP4228PBF
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3,843
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC HEXFET® Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 310W (Tc) N-Channel - 150V 78A (Tc) 15.5 mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 107nC @ 10V 4530pF @ 25V 10V ±30V
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$110.94
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2,057
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 SP6 1250W (Tc) N-Channel - 1000V 78A (Tc) 105 mOhm @ 39A, 10V 5V @ 10mA 744nC @ 10V 20700pF @ 25V 10V ±30V
IXFN100N65X2
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$22.28
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IXYS MOSFET N-CH HiPerFET™ Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 595W (Tc) N-Channel - 650V 78A (Tc) 30 mOhm @ 50A, 10V 5V @ 4mA 183nC @ 10V 10800pF @ 25V 10V ±30V
IXFX78N50P3
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1,879
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IXYS MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247 HiPerFET™, Polar3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 1130W (Tc) N-Channel - 500V 78A (Tc) 68 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 147nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±30V
IXFK78N50P3
单位
$16.82
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1,469
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IXYS MOSFET N-CH 500V 78A TO264 HiPerFET™, Polar3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 1130W (Tc) N-Channel - 500V 78A (Tc) 68 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 147nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±30V
TSM60NB041PW C1G
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$12.68
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247 - Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 446W (Tc) N-Channel - 600V 78A (Tc) 41 mOhm @ 21.7A, 10V 4V @ 250µA 139nC @ 10V 6120pF @ 100V 10V ±30V
IRFP4321PBF
单位
$4.09
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC HEXFET® Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 310W (Tc) N-Channel - 150V 78A (Tc) 15.5 mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110nC @ 10V 4460pF @ 25V 10V ±30V
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