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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFP21N60L
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 330W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 320 mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 150nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±30V
IXFH21N50Q
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IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 HiPerFET™ Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 280W (Tc) N-Channel 500V 21A (Tc) 250 mOhm @ 10.5A, 10V 4.5V @ 4mA 84nC @ 10V 3000pF @ 25V 10V ±30V
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604
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC - Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 227W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 197 mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 74nC @ 10V 1690pF @ 100V 10V ±30V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V EL Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 208W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 82nC @ 10V 1757pF @ 100V 10V ±30V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V EL Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 208W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 82nC @ 10V 1757pF @ 100V 10V ±30V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V EL Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 208W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 82nC @ 10V 1757pF @ 100V 10V ±30V
IRFP21N60LPBF
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 330W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 320 mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 150nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±30V
SIHG21N65EF-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 208W (Tc) N-Channel 650V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 106nC @ 10V 2322pF @ 100V 10V ±30V
SIHG21N60EF-GE3
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3,273
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 227W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 176 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84nC @ 10V 2030pF @ 100V 10V ±30V
SIHG22N60E-E3
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$4.63
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 227W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86nC @ 10V 1920pF @ 100V 10V ±30V
SIHG22N60E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 227W (Tc) N-Channel 600V 21A (Tc) 180 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86nC @ 10V 1920pF @ 100V 10V ±30V
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