- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,732
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 89W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 7.2A (Tc) | 850 mOhm @ 3.6A, 10V | 4V @ 250µA | 26.6nC @ 10V | 1595pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,985
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 29A TO263 | aMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 357W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 29A (Tc) | 150 mOhm @ 14.5A, 10V | 3.9V @ 250µA | 26.6nC @ 10V | 1312pF @ 100V | 10V | ±30V |