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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
ZDX130N50
单位
$1.62
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RFQ
2,885
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM - Not For New Designs Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FM 40W (Tc) N-Channel 500V 13A (Tc) 520 mOhm @ 6.5A, 10V 4.5V @ 1mA 40nC @ 10V 2180pF @ 25V 10V ±30V
STF16N50U
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RFQ
744
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP UltraFASTmesh™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 30W (Tc) N-Channel 500V 15A (Tc) 520 mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 100µA 40nC @ 10V 1950pF @ 25V 10V ±30V
TK15A50D(STA4,Q,M)
单位
$1.59
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RFQ
1,379
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 15A TO-220SIS π-MOSVII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 50W (Tc) N-Channel 500V 15A (Ta) 300 mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V 2300pF @ 25V 10V ±30V
TK12A50E,S4X
单位
$2.04
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RFQ
2,606
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V TO220SIS - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 45W (Tc) N-Channel 500V 12A (Ta) 520 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1.2mA 40nC @ 10V 1300pF @ 25V 10V ±30V
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