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供应商设备包 :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3L 2.5W (Ta), 220W (Tc) N-Channel - 500V 26A (Ta) 260 mOhm @ 13A, 10V - 87nC @ 10V 2250pF @ 30V 10V ±30V
IXFC26N50P
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IXYS MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 HiPerFET™, PolarHT™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ 130W (Tc) N-Channel - 500V 15A (Tc) 260 mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 4mA 65nC @ 10V 3600pF @ 25V 10V ±30V
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RFQ
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IXYS MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 PolarHV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ 130W (Tc) N-Channel - 500V 15A (Tc) 260 mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 250µA 65nC @ 10V 3600pF @ 25V 10V ±30V
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