- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,875
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-274AA | SUPER-247 (TO-274AA) | 250mW (Tc) | N-Channel | 500V | 20A (Tc) | 270 mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 76nC @ 10V | 2942pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
3,374
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 20A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 120W (Tc) | N-Channel | 500V | 20A (Ta) | 270 mOhm @ 10A, 10V | - | - | 3050pF @ 10V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
1,846
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N)IS | 90W (Tc) | N-Channel | 500V | 18A (Ta) | 270 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 80nC @ 10V | 3720pF @ 10V | 10V | ±30V |