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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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903
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP POWER MOS 8™ Preliminary Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 540W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 13500pF @ 25V 10V ±30V
APT58F50J
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RFQ
2,282
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 POWER MOS 8™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 540W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 13500pF @ 25V 10V ±30V
APT58M50J
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2,420
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 POWER MOS 8™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 540W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 13500pF @ 25V 10V ±30V
APL502B2G
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$44.03
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3,363
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant T-MAX™ [B2] 730W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 90 mOhm @ 29A, 12V 4V @ 2.5mA - 9000pF @ 25V 15V ±30V
APT58M50JCU2
单位
$27.81
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2,803
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 POWER MOS 8™ Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 543W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 10800pF @ 25V 10V ±30V
APT58M50JU3
单位
$21.62
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RFQ
996
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 POWER MOS 8™ Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 543W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 10800pF @ 25V 10V ±30V
APT58M50JCU3
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784
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 POWER MOS 8™ Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 543W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 10800pF @ 25V 10V ±30V
APT58M50JU2
单位
$33.40
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RFQ
612
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 POWER MOS 8™ Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227 543W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 10800pF @ 25V 10V ±30V
APT50M65JLL
单位
$40.79
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3,998
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 POWER MOS 7® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 520W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 29A, 10V 5V @ 2.5mA 141nC @ 10V 7010pF @ 25V 10V ±30V
APL502LG
单位
$52.63
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2,199
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264 [L] 730W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 90 mOhm @ 29A, 12V 4V @ 2.5mA - 9000pF @ 25V 15V ±30V
APT50M65JFLL
单位
$41.61
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3,795
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 POWER MOS 7® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 520W (Tc) N-Channel - 500V 58A (Tc) 65 mOhm @ 29A, 10V 5V @ 2.5mA 141nC @ 10V 7010pF @ 25V 10V ±30V
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